IGB110S101XTMA1

Infineon Technologies
726-IGB110S101XTMA1
IGB110S101XTMA1

Produc.:

Opis:
GaN FETs MV GAN DISCRETES

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IGB110S101XTMA1

Na stanie magazynowym: 2 240

Stany magazynowe:
2 240 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
8,77 zł 8,77 zł
5,63 zł 56,30 zł
3,88 zł 388,00 zł
3,29 zł 1 645,00 zł
2,80 zł 2 800,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
2,38 zł 11 900,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
PG-VSON-4
HEMT
1 Channel
100 V
23 A
- 4 V, + 5.5 V
2.9 V
3.4 nC
- 40 C
+ 150 C
15 W
Enhancement
CoolGaN
Marka: Infineon Technologies
Konfiguracja: Single
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Produkt: Transistors
Rodzaj produktu: GaN FETs
Seria: 100V G3
Wielkość opakowania producenta: 5000
Podkategoria: Transistors
Technologia: GaN
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Rodzaj: CoolGaN Transistor
Nazwy umowne nr części: IGB110S101 SP005751574
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolGaN™ 100V G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 Transistors are normally OFF, enhancement-mode (e-mode) power transistors in compact housing. These transistors feature low on-state resistance, making the devices an ideal choice for reliable performance in demanding high-current and high-voltage applications. The CoolGaN transistors are designed to improve thermal management. Typical applications include audio amplifier solutions, photovoltaic, telecommunication infrastructure, e‑Mobility, robotics, and drones.

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.