Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IGB070S10S1XTMA1

Name: Infineon IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGB070S10S1XTMA1
Price: 12.04 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IGB070S10S1XTMA1

Nr prod.:

IGB070S10S1XTMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IGB070S10S1XTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IGB070S10S1XTMA1

Na stanie magazynowym: 3 822

Stany magazynowe:: 3 822 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	12,04 zł	12,04 zł
	7,78 zł	77,80 zł
	5,72 zł	572,00 zł
	4,82 zł	2 410,00 zł
	4,34 zł	4 340,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	3,78 zł	18 900,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	38 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	6.5 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.9 V
Qg – ładunek bramki:	6.1 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	23 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolGaN
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	Transistors
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Seria:	60 V - 120 V G3
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	P-Channel
Rodzaj:	CoolGaN
Nazwy umowne nr części:	IGB070S10S1 SP006039129

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IGB070S10S1XTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 100V G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 Transistors are normally OFF, enhancement-mode (e-mode) power transistors in compact housing. These transistors feature low on-state resistance, making the devices an ideal choice for reliable performance in demanding high-current and high-voltage applications. The CoolGaN transistors are designed to improve thermal management. Typical applications include audio amplifier solutions, photovoltaic, telecommunication infrastructure, e‑Mobility, robotics, and drones.

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.