CDFG6558N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDFG6558N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDFG6558NTR13PBF
Price: 40.16 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

610-CDFG6558NTR13PBF

Nr prod.:

CDFG6558N TR13 PBFREE

Produc.:

Central Semiconductor

Opis:

GaN FETs 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

CDFG6558N TR13 PBFREE Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Central Semiconductor CDFG6558N TR13 PBFREE

Na stanie magazynowym: 2 483

Stany magazynowe:: 2 483 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	40,16 zł	40,16 zł
	27,86 zł	278,60 zł
	23,26 zł	2 326,00 zł
	22,79 zł	22 790,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	19,74 zł	49 350,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Central Semiconductor
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	29 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	80 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 6 V, + 7 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	6.2 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Tryb kanału:	Depletion
Marka:	Central Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	4 ns
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	Field Effect Transistors
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Czas narastania:	4 ns
Seria:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	Power FET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	3 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

CDFG6558N TR13 PBFREE Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.