Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

TP65H070G4LSGBA-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4LSGBA-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-P65H070G4LSGBATR
Price: 11.26 PLN
Availability: OutOfStock

Nr Mouser:

227-P65H070G4LSGBATR

Nr prod.:

TP65H070G4LSGBA-TR

Produc.:

Renesas Electronics

Opis:

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 3000 Wielokrotności: 3000

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	11,26 zł	33 780,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Renesas Electronics
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Nazwa handlowa:	SuperGaN
Marka:	Renesas Electronics
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Opakowanie:	Reel
Produkt:	GaN FETs
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.