Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

TP65H030G4PWS

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PWS
Price: 37.07 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

227-TP65H030G4PWS

Nr prod.:

TP65H030G4PWS

Produc.:

Renesas Electronics

Opis:

GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

TP65H030G4PWS Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Renesas Electronics TP65H030G4PWS

Na stanie magazynowym: 663

Stany magazynowe:: 663 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	37,07 zł	37,07 zł
	25,93 zł	259,30 zł
	18,06 zł	1 806,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Renesas Electronics
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	55.7 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	41 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.8 V
Qg – ładunek bramki:	24.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	192 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	SuperGaN
Marka:	Renesas Electronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	JP
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	8 ns
Opakowanie:	Tube
Produkt:	FETs
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Czas narastania:	6.8 ns
Seria:	Gen IV SuperGaN
Wielkość opakowania producenta:	960
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	GaN FET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	89.2 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	40.8 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TP65H030G4PWS Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN^® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.