TP65H030G4PRS-TR

Renesas Electronics
227-TP65H030G4PRS-TR
TP65H030G4PRS-TR

Produc.:

Opis:
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Renesas Electronics TP65H030G4PRS-TR

Na stanie magazynowym: 1 428

Stany magazynowe:
1 428 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1300)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
36,81 zł 36,81 zł
25,37 zł 253,70 zł
20,73 zł 2 073,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1300)
17,63 zł 22 919,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Renesas Electronics
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
TOLT-16
N-Channel
1 Channel
650 V
55.7 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
24.5 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
SuperGaN
Marka: Renesas Electronics
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 5.2 ns
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Opakowanie: MouseReel
Produkt: FETs
Rodzaj produktu: GaN FETs
Czas narastania: 6.4 ns
Seria: Gen IV SuperGaN
Wielkość opakowania producenta: 1300
Podkategoria: Transistors
Technologia: GaN
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Rodzaj: GaN FET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 63.6 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 26.4 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.