Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

QPD1003

Name: Qorvo QPD1003
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1003
Price: 6420.93 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

772-QPD1003

Nr prod.:

QPD1003

Produc.:

Qorvo

Opis:

GaN FETs 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN

Karta charakterystyki:

QPD1003 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Qorvo QPD1003

Na stanie magazynowym: 16

Stany magazynowe:: 16 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 16 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6 420,93 zł	6 420,93 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Qorvo
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	RF-565
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	50 V
Id – Ciągły prąd drenu:	15 A
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	- 2.8 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 85 C
Pd – strata mocy:	370 W
Marka:	Qorvo
Konfiguracja:	Single
Zestaw projektowy:	QPD1003PCB401
Wzmocnienie:	19.9 dB
Maksymalna częstotliwość robocza:	1.4 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	1.2 GHz
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Moc wyjściowa:	540 W
Opakowanie:	Tray
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Seria:	QPD1003
Wielkość opakowania producenta:	18
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	HEMT
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	145 V
Nazwy umowne nr części:	1131389
Jednostka masy:	104,655 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

QPD1003 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.