Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

NPT1012B

Name: MACOM NPT1012B
Brand: MACOM
SKU: 937-NPT1012B
Price: 803.71 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

937-NPT1012B

Nr prod.:

NPT1012B

Produc.:

MACOM

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 8 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 8 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	Screw Mount
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	4 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	440 mOhms
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	- 1.8 V
Maksymalna temperatura robocza:	+ 200 C
Pd – strata mocy:	44 W
Marka:	MACOM
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TH
Wzmocnienie:	13 dB
Maksymalna częstotliwość robocza:	4 GHz
Opakowanie:	Tray
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	GaN HEMT
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	3 V
Jednostka masy:	220 mg