Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

GTRA364002FC-V1-R2

Name: MACOM GTRA364002FC-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA364002FCV1R2
Price: 816.1 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-GTRA364002FCV1R2

Nr prod.:

GTRA364002FC-V1-R2

Produc.:

MACOM

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Alert dotyczący wysyłki:

Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 250 Wielokrotności: 250

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
	816,10 zł	204 025,00 zł
500	Oferta

Produc. Nr części:

Opakowanie:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

1 028,43 zł

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.
RoHS:
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	H-37248C-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	125 V
Id – Ciągły prąd drenu:	8.1 A
Maksymalna temperatura robocza:	+ 225 C
Marka:	MACOM
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	US
Wzmocnienie:	13 dB
Maksymalna częstotliwość robocza:	3.6 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	3.4 GHz
Moc wyjściowa:	400 W
Opakowanie:	Reel
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	250
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	GaN HEMT
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	- 10 V to 2 V