Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

GTRA362002FC-V1-R0

Name: MACOM GTRA362002FC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA362002FCV1R0
Price: 784.62 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-GTRA362002FCV1R0

Nr prod.:

GTRA362002FC-V1-R0

Produc.:

MACOM

Opis:

GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

Karta charakterystyki:

GTRA362002FC-V1-R0 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o MACOM GTRA362002FC-V1-R0

Alert dotyczący wysyłki:

Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.

Na stanie magazynowym: 40

Stany magazynowe:: 40 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 40 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 50)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	784,62 zł	784,62 zł
	575,00 zł	5 750,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 50)
	575,00 zł	28 750,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.
RoHS:
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	H-37248C-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	4.1 A
Maksymalna temperatura robocza:	+ 225 C
Marka:	MACOM
Wzmocnienie:	13.5 dB
Maksymalna częstotliwość robocza:	3.6 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	3.4 GHz
Moc wyjściowa:	200 W
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	GaN HEMT
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	- 10 V to 2 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

GTRA362002FC-V1-R0 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a

Tranzystory JFET RF 5 G i tranzystory FET LDMOS

Tranzystory polowe złączowe JFET i tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik LDMOS 5G RF firmy MACOM to wysokiej mocy tranzystory wzmocnione termicznie dla bezprzewodowej transmisji nowej generacji. Urządzenia te oferują technologię tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) GaN na SiC, dopasowanie sygnału wejściowego, wysoką wydajność oraz ulepszoną termicznie obudowę do montażu powierzchniowego z kołnierzem bez uszu. Tranzystory MACOM 5G RF JFET i LDMOS FET idealnie nadają się do stosowania w wielostandardowych komórkowych wzmacniaczach mocy.