Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IGD70R140D2SAUMA1

Name: Infineon IGD70R140D2SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGD70R140D2SAUMA
Price: 10 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IGD70R140D2SAUMA

Nr prod.:

IGD70R140D2SAUMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IGD70R140D2SAUMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IGD70R140D2SAUMA1

Na stanie magazynowym: 1 903

Stany magazynowe:: 1 903 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	10,00 zł	10,00 zł
	6,47 zł	64,70 zł
	4,45 zł	445,00 zł
	3,58 zł	1 790,00 zł
	3,41 zł	3 410,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	3,12 zł	7 800,00 zł
	2,95 zł	14 750,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	700 V
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.6 V
Qg – ładunek bramki:	1.9 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	29 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolGaN
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	AT
Kraj pochodzenia:	AT
Czas zanikania:	23 ns
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	Transistors
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Czas narastania:	7 ns
Seria:	CoolGaN G5
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	CoolGaN Transistor
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	10 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	7 ns
Nazwy umowne nr części:	IGD70R140D2S SP006085341

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IGD70R140D2SAUMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

700V CoolGaN™ G5 Power Transistors

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5 Power Transistors represent a significant advancement in power conversion technology. These gallium nitride (GaN) transistors are designed to operate at high frequencies with superior efficiency, enabling ultra-fast switching and minimizing energy losses. The 700V CoolGaN G5 series features enhancement-mode transistors that are normally off, ensuring safe operation and high reliability. With low gate and output charge, these transistors support high power density designs and reduce system BOM costs.