EPC2088

EPC
65-EPC2088
EPC2088

Produc.:

Opis:
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0

Cykl życia:
Nowości w Mouser
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
4 300
Oczekiwane: 27.05.2026
Średni czas produkcji:
20
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
18,86 zł 18,86 zł
12,52 zł 125,20 zł
8,95 zł 895,00 zł
8,61 zł 4 305,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
7,27 zł 7 270,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
EPC
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-8
N-Channel
1 Channel
100 V
60 A
3.2 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
12.5 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marka: EPC
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: TW
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Rodzaj produktu: GaN FETs
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Transistors
Technologia: GaN
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Jednostka masy: 10,200 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99