EPC2070

EPC
65-EPC2070
EPC2070

Produc.:

Opis:
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85

Cykl życia:
Nowości w Mouser
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 241

Stany magazynowe:
2 241
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
12 500
Oczekiwane: 27.05.2026
Średni czas produkcji:
18
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
6,34 zł 6,34 zł
4,04 zł 40,40 zł
2,70 zł 270,00 zł
2,13 zł 1 065,00 zł
1,95 zł 1 950,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
1,75 zł 4 375,00 zł
1,64 zł 8 200,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
EPC
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-6
N-Channel
1 Channel
100 V
1.7 A
23 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
1.9 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marka: EPC
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: TW
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Rodzaj produktu: GaN FETs
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Transistors
Technologia: GaN
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Jednostka masy: 1,500 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99