Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FGAF40N60UFTU

Name: onsemi FGAF40N60UFTU
Brand: onsemi
SKU: 512-FGAF40N60UFTU
Price: 16.98 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FGAF40N60UFTU

Nr prod.:

FGAF40N60UFTU

Produc.:

onsemi

Opis:

IGBTs 40A/600V/ IGBT

Karta charakterystyki:

FGAF40N60UFTU Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-3PF-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	600 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	3.1 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	40 A
Pd – strata mocy:	100 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	FGAF40N60UF
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Ciągły prąd kolektora – Ic max.:	40 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	100 nA
Wysokość:	16.7 mm
Długość:	15.7 mm
Rodzaj produktu:	IGBTs
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Szerokość:	5.7 mm
Nazwy umowne nr części:	FGAF40N60UFTU_NL
Jednostka masy:	7 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FGAF40N60UFTU Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

AFGB30T65RQDN IGBT

Offers a high figure of merit with low conduction and switching losses.

Dowiedz się więcej

AFGH4L60T120RWx-STD N-Channel Field Stop VII IGBTs

The device offers good performance, with low on-state voltage and low switching losses.

Dowiedz się więcej

AFGBG70T65SQDC N-Channel Field Stop IV IGBT

The device offers optimal performance with both low conduction and switching losses.

Dowiedz się więcej

AFGHxL40T Automotive Grade IGBTs

AEC-Q101 qualified and uses a robust Field Stop VII Trench construction.

Dowiedz się więcej

FGB5065G2-F085 EcoSPARK® 2 HV-HE IGBT

650V N-channel ignition device for PTC heater and high current system applications.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 316

Stany magazynowe:: 316 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 34 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1 Maksymalnie: 360

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	16,98 zł	16,98 zł
	9,42 zł	94,20 zł
	7,70 zł	924,00 zł

FGAF40N60UFTU

Produc.: onsemi

Opis: IGBTs 40A/600V/ IGBT

Specyfikacja

Dokumenty (6)

Karta charakterystyki

PCN

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Na stanie magazynowym: 316

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

IGBTs 40A/600V/ IGBT

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI