Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

STGP30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP30M65DF2
Price: 14.21 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STGP30M65DF2

Nr prod.:

STGP30M65DF2

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STGP30M65DF2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STGP30M65DF2

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.55 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	60 A
Pd – strata mocy:	258 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	STGP30M65DF2
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Rodzaj produktu:	IGBTs
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STGP30M65DF2 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

STMICROELECTRONICS

STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM

This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.

Dowiedz się więcej

STGWA30IH160DF2 1600V IH2 Series IGBT

Created by implementing an advanced proprietary trench gate field-stop structure.

Dowiedz się więcej

STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT with Diode

Combines two IGBTs and diodes in a half-bridge topology.

Dowiedz się więcej

STGHU30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT

Developed using an advanced trench gate field stop structure.

Dowiedz się więcej

STGWA30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT

Designed using an advanced proprietary trench gate field stop structure.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 14

Stany magazynowe:: 14

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 1 000

Oczekiwane: 25.12.2026
Średni czas produkcji:: 20

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	14,21 zł	14,21 zł
	9,24 zł	92,40 zł
	6,47 zł	647,00 zł
	5,41 zł	2 705,00 zł
	5,02 zł	5 020,00 zł
	4,75 zł	9 500,00 zł

STGP30M65DF2

Produc.: STMicroelectronics

Opis: IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss Dokończ swój projekt

Specyfikacja

Dokumenty (10)

Karta charakterystyki

PCN

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY STMICROELECTRONICS

Na stanie magazynowym: 14

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Dokończ swój projekt

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

STMICROELECTRONICS