SRAM for Data Acquisition

Home » Applications & Technologies » Instrumentation » Data Acquisition » SRAM

SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

Wyniki: 485
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Wielkość pamięci
Organizacja
Czas dostępu
Maksymalna częstotliwość zegara
Rodzaj interfejsu
Napięcie zasilania – max.
Napięcie zasilania – min.
Prąd zasilania – max.
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC
Karta charakterystyki
73Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Karta charakterystyki
53Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 4Mb 256Kx18 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Karta charakterystyki
24Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v
Karta charakterystyki
12Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
Karta charakterystyki
15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 512 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8M (512Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Karta charakterystyki
96Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 512 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
Karta charakterystyki
234Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP,RoHS
Karta charakterystyki
10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100

ISSI SRAM 2M (128Kx16) 12ns Async SRAM
Karta charakterystyki
198Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 Mbit 128 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
Karta charakterystyki
551Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel

ISSI SRAM 1Mb 5V 15ns 64K x 16 Async SRAM
Karta charakterystyki
101Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

1 Mbit 64 k x 16 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 18M (1Mx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Karta charakterystyki
50Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

18 Mbit 1 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb 512Kx16 10ns LP Async SRAM A-Temp
Karta charakterystyki
78Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI SRAM 256K 32Kx8 25ns 5V Async SRAM
Karta charakterystyki
298Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

256 kbit 32 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 30 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOP-28 Tube
ISSI IS62WV25616EALL-55TLI
ISSI SRAM 4Mb Low Pwr/Pwr Svr Async 256Kx16 55ns
Karta charakterystyki
68Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI IS62WV12816FBLL-45TLI
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Karta charakterystyki
113Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns
Karta charakterystyki
215Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
Microchip Technology SRAM 2Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
Karta charakterystyki
558Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 2Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
Karta charakterystyki
867Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 1.7V-3.6V
Karta charakterystyki
1 187Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 2Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup
Karta charakterystyki
449Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-14 Tube
Microchip Technology SRAM 2Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup
Karta charakterystyki
545Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 Mbit 256 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup
Karta charakterystyki
393Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 512 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-14 Tube
Microchip Technology SRAM 4Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup
Karta charakterystyki
324Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 512 k x 8 143 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-14 Tube