SRAM for Data Acquisition

Home » Applications & Technologies » Instrumentation » Data Acquisition » SRAM

SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

Wyniki: 488
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Wielkość pamięci Organizacja Czas dostępu Maksymalna częstotliwość zegara Rodzaj interfejsu Napięcie zasilania – max. Napięcie zasilania – min. Prąd zasilania – max. Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie
ISSI SRAM 2Mb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
2 910Oczekiwane: 16.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

2 Mbit 256 k x 8 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp 471Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
395Oczekiwane: 08.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 25ns Async SRAM
384Oczekiwane: 31.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

16 Mbit 1 M x 16 25 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray

ISSI SRAM 1M (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
963Oczekiwane: 16.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
551Oczekiwane: 14.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
2 828Oczekiwane: 03.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb
960Oczekiwane: 04.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
476Oczekiwane: 04.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
144Oczekiwane: 07.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray

ISSI SRAM 4Mb 2.4-3.6V 10ns 512x8 Async SRAM
270Oczekiwane: 21.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 45MHz Serial SRAM IT
100Oczekiwane: 28.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

1 Mbit 128 k x 8 15 ns 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tray

ISSI SRAM 16Mb 10ns 1Mbx16 Async SRAM 2.4V-3.6V
1Oczekiwane: 03.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
956Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
270Oczekiwane: 16.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
97Oczekiwane: 16.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 1Mb (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
213Oczekiwane: 16.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Renesas Electronics SRAM 512K X 18 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 139Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 1
Wielokr.: 1
Nie
9 Mbit 512 k x 18 12 ns Parallel 2.6 V 2.4 V 395 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-208 Tray
ISSI SRAM 32Mb,High-Speed-Automotive,Async,2048K x 16,12ns,2.4v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS, Automotive temp Czas realizacji 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

32 Mbit 2 M x 16 12 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 110 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-48
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 11 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 11 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 11 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 11 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 300

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube