Przejdź do głównej treści

Jesteśmy częścią TTI Family of SpecialistsKontakt z Mouser: +48 71 749 74 00Opinie

Zmień lokalizację

+48 71 749 74 00 Zmień lokalizację

Na stanie

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSIC Moduły MOSFET SIC

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 5

Zastosowane filtry:

Nazwa handlowa = CoolSIC

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa
	SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 171,91 zł 1 117Na stanie magazynowym 1 680Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części IMYH200R024M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMYH200R024M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Karta charakterystyki	1 117Na stanie magazynowym 1 680Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IMYH200R024M1HXKSA1 Stany magazynowe: 1 117 Wysylamy natychmiast Dostępna ilość z otwartych zamówień: 480 Oczekiwane: 15.10.2026 1 200 Oczekiwane: 15.04.2027 Średni czas produkcji: 53 tygodni	171,91 zł 127,82 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	89 A	33 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	137 nC	- 55 C	+ 150 C	576 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R050M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 94,78 zł 116Na stanie magazynowym 1 920Oczekiwane: 15.10.2026	Produc. Nr części IMYH200R050M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMYH200R050M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Karta charakterystyki	116Na stanie magazynowym 1 920Oczekiwane: 15.10.2026	94,78 zł 59,75 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	48 A	64 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	348 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 78,80 zł 746Na stanie magazynowym 480Oczekiwane: 15.10.2026	Produc. Nr części IMYH200R075M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMYH200R075M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Karta charakterystyki	746Na stanie magazynowym 480Oczekiwane: 15.10.2026	78,80 zł 47,83 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 240			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	34 A	98 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	267 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R012M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 301,31 zł Czas realizacji 53 tygodni	Produc. Nr części IMYH200R012M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMYH200R012M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Karta charakterystyki	Czas realizacji 53 tygodni	301,31 zł 250,58 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	123 A	16.5 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	246 nC	- 55 C	+ 150 C	552 W	Enhancement	CoolSIC
	SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R100M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 72,91 zł 2 089Oczekiwane: 22.07.2027	Produc. Nr części IMYH200R100M1HXKSA1 Nr części Mouser 726-IMYH200R100M1HXK	Infineon Technologies	SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Karta charakterystyki	2 089Oczekiwane: 22.07.2027	72,91 zł 41,89 zł 40,17 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	26 A	131 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	217 W	Enhancement	CoolSIC