GaN Półprzewodniki

Wyniki: 737
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS
CML Micro RF Amplifier 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
: 500
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 1 200
Wielokr.: 600

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 240mohm GaN FET in DPAK
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

STMicroelectronics Gate Drivers 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 560
Wielokr.: 1 560

STMicroelectronics Gate Drivers High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 560
Wielokr.: 1 560

STMicroelectronics Gate Drivers 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 560
Wielokr.: 1 560

STMicroelectronics Gate Drivers High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics Gate Drivers High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

Microchip Technology RF Amplifier 2.7-3.5 GHz 70W GaN PA MMIC
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 2
Wielokr.: 1

Analog Devices RF Amplifier 2.7-3.5 GHZ,35W,GaN Radar PA
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1