GaN Półprzewodniki

Wyniki: 737
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
Texas Instruments Gate Drivers 80V GaN Half Bridge Power Stage A 595-LM A 595-LMG5200MOFR
402Oczekiwane: 04.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250

EPC GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
12 099Oczekiwane: 09.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2 500Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
23 892Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
1 130Oczekiwane: 15.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

EPC GaN FETs EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2 500Oczekiwane: 20.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
457Oczekiwane: 20.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

Qorvo RF Amplifier 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS
20Oczekiwane: 31.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Qorvo RF Switch ICs 50W 0.15-2.8GHz GaN SPDT
100Oczekiwane: 23.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 100

Qorvo GaN FETs DC-3.6GHz GaN 90W 48V
132Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 100

Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
19Oczekiwane: 29.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Qorvo GaN FETs DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
57Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi Gate Drivers SINGLE CHANNEL INTEGRATED
2 975Oczekiwane: 13.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 300
: 3 000

onsemi GaN FETs GaN FET, 700V, 132m, 8x8
2 500Oczekiwane: 21.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 25
: 250

onsemi GaN FETs GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool
2 500Oczekiwane: 25.06.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

onsemi GaN FETs GaNEXUS FET, 100V, 3.8m, 3.3x3.3 Dual Cool
2 500Oczekiwane: 25.06.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

MACOM GaN FETs 10W, 4.0GHz, 830120P, GaN HEMT, PILL
117Oczekiwane: 17.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

MACOM RF Amplifier MMIC, GaN HEMT, G50V3-1C, 30W, 2.7-3.5GH
25Oczekiwane: 09.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 25

STMicroelectronics Gate Drivers High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power 62Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

STMicroelectronics GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
500Oczekiwane: 18.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

STMicroelectronics Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
700Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 50
: 3 000

STMicroelectronics Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
700Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 50
: 3 000

Fairview Microwave RF Amplifier 30 MHz to 2.7 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, High Power, 8W Psat, 36dB Tx Gain, 1 microsec speed, Manual T/R Control 1Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 1
Wielokr.: 1
Fairview Microwave RF Amplifier 5.125 GHz to 5.875 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, C-Band, 10W Psat, 43dB Tx Gain, 20% Efficiency, 2 microsec speed, Autosensing 2Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 1
Wielokr.: 1
Fairview Microwave RF Amplifier 4.4 GHz to 4.9 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, C-Band, 15W Psat, 45dB Tx Gain, 35% Efficiency, 2 microsec speed, Manual T/R Control 1Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 1
Wielokr.: 1