TO-247-4 Półprzewodniki

Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
423Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 44

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
381Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 42

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
439Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 44

onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
Karta charakterystyki
450Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 45

Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
450Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Karta charakterystyki
87Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies IGBTs High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
Karta charakterystyki
180Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies IGBTs High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
Karta charakterystyki
143Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Karta charakterystyki
126Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 19.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi JFETs UF3N120007K4S
Karta charakterystyki
1 105Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 112

onsemi JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Karta charakterystyki
540Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 54

Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
164Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
218Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 03.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
240Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Karta charakterystyki
356Na stanie magazynowym
480Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Karta charakterystyki
493Na stanie magazynowym
240Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Karta charakterystyki
1 377Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Karta charakterystyki
699Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Karta charakterystyki
677Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
Karta charakterystyki
460Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IXYS SiC MOSFETs TO247 1200V N CH 20A
Karta charakterystyki
542Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 450

IXYS SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
Karta charakterystyki
550Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IXYS SiC MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
Karta charakterystyki
550Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Karta charakterystyki
894Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Karta charakterystyki
408Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1