TO-247-4 Półprzewodniki

Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
Karta charakterystyki
166Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
220Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi MOSFETs 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
Karta charakterystyki
417Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Karta charakterystyki
282Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
Karta charakterystyki
224Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
Karta charakterystyki
311Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
Karta charakterystyki
257Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Karta charakterystyki
450Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Karta charakterystyki
1 674Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
Karta charakterystyki
346Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Karta charakterystyki
321Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Karta charakterystyki
202Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Karta charakterystyki
669Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
Karta charakterystyki
181Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Karta charakterystyki
279Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
Karta charakterystyki
61Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
Karta charakterystyki
150Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Karta charakterystyki
529Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
240Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Karta charakterystyki
152Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Karta charakterystyki
342Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Karta charakterystyki
478Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 20.08.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi IGBTs FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L IGBT STAND-ALONE (LOW COST)
Karta charakterystyki
448Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 45

onsemi IGBTs FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L COPACK (LOW COST)
Karta charakterystyki
435Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 44