SISS7xDN TrenchFET MOSFETs

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFETs use TrenchFET® with ThunderFET technology that optimizes the balance of RDS, QG, QSW, and QOSS. These MOSFETs are 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. The SISS7xDN TrenchFET MOSFETs find applications in primary side switching, synchronous rectification, DC/DC converters, motor drive control, and load switches. These MOSFETs are available in PowerPAK 1212-8S package.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Vishay Semiconductors MOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Karta charakterystyki
5 726Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
7,70 zł
3,69 zł
3,30 zł
2,62 zł
2,56 zł
Opakowanie zbiorcze
2,15 zł
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 125 V 31 A 29.8 mOhms 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Karta charakterystyki
4 395Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
9,33 zł
4,58 zł
4,12 zł
3,27 zł
3,17 zł
Opakowanie zbiorcze
2,82 zł
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25.5 A 42 mOhms 20 V 2 V 22 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel