Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor’s G3R™ Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer R_DS(ON) levels from 12mΩ to 1000mΩ and robustness for efficiency and system reliability in automotive and industrial applications. These MOSFETs deliver a fast switching frequency, increased power density, reduced ringing (EMI), and a compact size. The G3R SiC MOSFETs are offered in optimized low-inductance discrete packages (SMD and through-hole). The modules are highly optimized for power system designs that require elevated efficiency levels at all operating temperatures and ultra-fast switching speeds with ultra-low losses. GeneSiC SiC MOSFETs provide faster switching and lower ON resistance than silicon-based products. Additional features include superior electric characteristics at high temperatures and significantly lower switching loss, allowing smaller peripheral components to be used.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 8

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor 1: 234,65 zł 1 642Na stanie magazynowym	Produc. Nr części G3R12MT12K Nr części Mouser 905-G3R12MT12K	GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Karta charakterystyki	1 642Na stanie magazynowym	234,65 zł 218,72 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	111 A	12 mOhms	- 10 V, + 22 V	2.7 V	288 nC	- 55 C	+ 175 C	567 W	Enhancement
SiC MOSFETs 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor 1: 27,28 zł 1 707Na stanie magazynowym	Produc. Nr części G3R450MT17D Nr części Mouser 905-G3R450MT17D	GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFETs 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Karta charakterystyki	1 707Na stanie magazynowym	27,28 zł 24,51 zł 23,50 zł 22,04 zł Przeglądaj 21,12 zł 20,42 zł 19,80 zł 19,01 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	7 A	450 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement
SiC MOSFETs 1700V 450mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET G3R450MT17J-TR GeneSiC Semiconductor 1: 30,40 zł 800Na stanie magazynowym	Produc. Nr części G3R450MT17J-TR Nr części Mouser 905-G3R450MT17J-TR	GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFETs 1700V 450mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Karta charakterystyki	800Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 30,40 zł 27,46 zł 26,31 zł 24,73 zł Opakowanie zbiorcze 22,31 zł Przeglądaj 23,72 zł 23,01 zł 21,38 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	8 A	630 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement
SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor 1: 405,64 zł 53Na stanie magazynowym 150Oczekiwane: 21.04.2027	Produc. Nr części G3R20MT17K Nr części Mouser 905-G3R20MT17K	GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Karta charakterystyki	53Na stanie magazynowym 150Oczekiwane: 21.04.2027	405,64 zł 391,20 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.7 kV	101 A	20 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	256 nC	- 55 C	+ 175 C	569 W	Enhancement
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor 1: 85,27 zł 289Na stanie magazynowym	Produc. Nr części G3R30MT12K Nr części Mouser 905-G3R30MT12K	GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Karta charakterystyki	289Na stanie magazynowym	85,27 zł 78,32 zł 75,72 zł 73,83 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	70 A	30 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	118 nC	- 55 C	+ 175 C	281 W	Enhancement
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor 1: 125,14 zł 109Na stanie magazynowym	Produc. Nr części G3R45MT17K Nr części Mouser 905-G3R45MT17K	GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Karta charakterystyki	109Na stanie magazynowym	125,14 zł 114,80 zł 111,67 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.7 kV	48 A	45 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	284 W	Enhancement
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor 1: 46,29 zł 5Na stanie magazynowym 1 800Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części G3R160MT17D Nr części Mouser 905-G3R160MT17D	GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Karta charakterystyki	5Na stanie magazynowym 1 800Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: G3R160MT17D Stany magazynowe: 5 Wysylamy natychmiast Dostępna ilość z otwartych zamówień: 600 Oczekiwane: 08.01.2027 1 200 Oczekiwane: 08.02.2027 Średni czas produkcji: 26 tygodni	46,29 zł 41,84 zł 40,22 zł 37,97 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	17 A	160 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	138 W	Enhancement
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor 1: 66,88 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	Produc. Nr części G3R40MT12K Nr części Mouser 905-G3R40MT12K	GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	66,88 zł 61,07 zł 58,92 zł 56,76 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A	40 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	88 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement

SiC MOSFETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

SiC MOSFETs

Zastosowane filtry: