Motoryzacyjne tranzystory mocy MOSFET OptiMOS™ 7 80 V

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V Automotive Power MOSFETs are built with Infineon’s leading-edge, power semiconductor technology. These MOSFETs are designed specifically for the high performance, quality, and robustness needed for demanding automotive applications. The OptiMOS™ 7 80V MOSFETs operate with a ±20VGS gate source voltage and a temperature range of -55°C to 175°C. These MOSFETs are offered in top-side cooled SSO10T 5x7mm2 SMD package. The SSO10T package helps users achieve advancements in cooling and power density. The 80V power MOSFETs are MSL-1 rated, RoHS compliant, and 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for general automotive applications.

Wyniki: 16
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
4 925Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 08.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
Karta charakterystyki
5 869Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 80 V 129 A 3.6 mOhms 20 V 3.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
17 191Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 08.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 293 A 1.26 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
3 591Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 210 A 1.8 mOhms 20 V 2 V 79.9 nC - 55 C + 175 C 169 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
4 637Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 177 A 2.4 mOhms 16 V 2 V 65.2 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
5 088Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Karta charakterystyki
5 174Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-2 N-Channel 1 Channel 80 V 223 A 1.94 mOhms 20 V 3.2 V 68 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
Karta charakterystyki
4 842Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 186 A 2.44 mOhms 20 V 3.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 157 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Karta charakterystyki
4 892Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 103 A 4.54 mOhms 20 V 3.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 98 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
5 917Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 35 A 17.7 mOhms 16 V 2 V 11.8 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
9 900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 3.2 V 27.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
4 712Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 15.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 76 A 7.8 mOhms 20 V 3.2 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Karta charakterystyki
4 519Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.9 mOhms 16 V 2 V 10.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Karta charakterystyki
27 372Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 80 V 262 A 1.63 mOhms 20 V 3.2 V 83 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 80 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
Karta charakterystyki
4 000Oczekiwane: 15.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 905 A 0.29 mOhms 20 V 3 V 268 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V
Karta charakterystyki
3 900Oczekiwane: 15.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 539 A 0.75 mOhms 20 V 3.2 V 195 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape