Układy MOSFET – Mouser Polska

Przejdź do głównej treści

Jesteśmy częścią TTI Family of SpecialistsKontakt z Mouser: +48 71 749 74 00Opinie

Zmień lokalizację

+48 71 749 74 00 Zmień lokalizację

Na stanie

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 6

Zastosowane filtry:

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Technologia	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Opakowanie
	MOSFETs HIGH POWER_NEW IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 34,72 zł 268Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części IPW65R060CFD7XKSA1 Nr części Mouser 726-IPW65R060CFD7SA1 NRND	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Karta charakterystyki	268Na stanie magazynowym	34,72 zł 20,46 zł 17,25 zł 16,72 zł 15,75 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	3.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
	MOSFETs HIGH POWER_NEW IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 37,75 zł 290Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IPP65R041CFD7XKSA1 Nr części Mouser 726-IPP65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Karta charakterystyki	290Na stanie magazynowym	37,75 zł 25,83 zł 21,30 zł 19,05 zł 17,95 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	650 V	50 A	41 mOhms	20 V	4.5 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	Tube
	MOSFETs HIGH POWER_NEW IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 41,36 zł 284Na stanie magazynowym 720Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części IPW65R041CFD7XKSA1 Nr części Mouser 726-IPW65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Karta charakterystyki	284Na stanie magazynowym 720Dostępna ilość z otwartych zamówień	41,36 zł 22,53 zł 20,86 zł 20,72 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	68.5 A	41 mOhms	20 V	4 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	Tube
	MOSFETs HIGH POWER_NEW IPP65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 30,67 zł 41Na stanie magazynowym 500Oczekiwane: 10.12.2026	Produc. Nr części IPP65R060CFD7XKSA1 Nr części Mouser 726-IPP65R060CFD7SA1	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Karta charakterystyki	41Na stanie magazynowym 500Oczekiwane: 10.12.2026	30,67 zł 16,59 zł 15,22 zł 13,95 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	4.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
	MOSFETs HIGH POWER_NEW IPW65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 45,06 zł 95Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IPW65R029CFD7XKSA1 Nr części Mouser 726-IPW65R029CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Karta charakterystyki	95Na stanie magazynowym	45,06 zł 30,71 zł 29,92 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube
	MOSFETs HIGH POWER_NEW IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 56,98 zł 151Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IPZA65R029CFD7XKSA1 Nr części Mouser 726-IPZA65R029CFD7XK	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Karta charakterystyki	151Na stanie magazynowym	56,98 zł 32,08 zł 31,50 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube