Moduły MOSFET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Navitas Semiconductor 3300V and 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are based on the latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology and feature flexible packaging formats, including power module, discrete, and known good die (KGD). For high-power density and high-reliability systems, the MOSFETs are integrated into an advanced SiCPAK™ G+ power module package, in half-bridge and full-bridge circuit configurations. The proprietary TAP SiC MOSFET technology offers improved performance, reliability, and avalanche robustness. The TAP architecture performs a multi-step e-field management profile to significantly reduce voltage stress and improve voltage blocking capabilities compared to trench and traditional-planar SiC MOSFETs. Navitas 3300V and 2300V SiC MOSFETs are ideal for AI data centers, grid and energy infrastructure, and industrial electrification, including energy storage, renewable, and megawatt-scale fast-charging applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 8

Zastosowane filtry:

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Opakowanie/obudowa	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Seria	Opakowanie
MOSFET Modules 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module G4H06MT23GB2 GeneSiC Semiconductor 48: 1 254,92 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części G4H06MT23GB2 Nr części Mouser 905-G4H06MT23GB2 Nowe produkty	GeneSiC Semiconductor	MOSFET Modules 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	1 254,92 zł	Min.: 48 Wielokr.: 48		2.3 kV	296 A				N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET Modules 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM G4H06MT23GB2-T GeneSiC Semiconductor 48: 1 285,20 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części G4H06MT23GB2-T Nr części Mouser 905-G4H06MT23GB2-T Nowe produkty	GeneSiC Semiconductor	MOSFET Modules 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	1 285,20 zł	Min.: 48 Wielokr.: 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module G4H08MT23GB4 GeneSiC Semiconductor 48: 1 819,66 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części G4H08MT23GB4 Nr części Mouser 905-G4H08MT23GB4 Nowe produkty	GeneSiC Semiconductor	MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	1 819,66 zł	Min.: 48 Wielokr.: 48	SiCPAK G+	2.3 kV		8 mOhms	- 55 C	+ 150 C	N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM G4H08MT23GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: 1 849,94 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części G4H08MT23GB4-T Nr części Mouser 905-G4H08MT23GB4-T Nowe produkty	GeneSiC Semiconductor	MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	1 849,94 zł	Min.: 48 Wielokr.: 48		2.3 kV		8 mOhms	- 55 C	+ 150 C	N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET Modules 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4 G4H11MT23GB4 GeneSiC Semiconductor 48: 1 265,84 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części G4H11MT23GB4 Nr części Mouser 905-G4H11MT23GB4 Nowe produkty	GeneSiC Semiconductor	MOSFET Modules 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	1 265,84 zł	Min.: 48 Wielokr.: 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET Modules 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4-T G4H11MT23GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: 1 296,11 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części G4H11MT23GB4-T Nr części Mouser 905-G4H11MT23GB4-T Nowe produkty	GeneSiC Semiconductor	MOSFET Modules 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	1 296,11 zł	Min.: 48 Wielokr.: 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET Modules 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4 G4H22MT33GB4 GeneSiC Semiconductor 48: 1 758,11 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części G4H22MT33GB4 Nr części Mouser 905-G4H22MT33GB4 Nowe produkty	GeneSiC Semiconductor	MOSFET Modules 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	1 758,11 zł	Min.: 48 Wielokr.: 48		3.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET Modules 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4-T G4H22MT33GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: 1 788,38 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części G4H22MT33GB4-T Nr części Mouser 905-G4H22MT33GB4-T Nowe produkty	GeneSiC Semiconductor	MOSFET Modules 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Dowiedz się więcej o GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni	1 788,38 zł	Min.: 48 Wielokr.: 48		3.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Zastosowane filtry: