Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 5 441Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
15,53 zł
10,12 zł
7,39 zł
6,42 zł
Opakowanie zbiorcze
5,41 zł
5,32 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 34 A 28 mOhms 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 1 789Na stanie magazynowym
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
22,84 zł
14,96 zł
11,18 zł
9,33 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.9 mOhms 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 50Na stanie magazynowym
4 000Oczekiwane: 08.07.2027
Odcinek taśmy
26,05 zł
17,42 zł
13,99 zł
12,45 zł
Opakowanie zbiorcze
11,00 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.6 mOhms 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 Niedostępne na stanie
Opakowanie zbiorcze
19,89 zł
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.6 mOhms 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel