NTMFS0D7N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS0D7N04XMT1G
NTMFS0D7N04XMT1G

Produc.:

Opis:
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
323 A
700 uOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
72.1 nC
- 55 C
+ 175 C
134 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marka: onsemi
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 6.32 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 244
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 8.12 ns
Seria: NTMFS0D7N04XM
Wielkość opakowania producenta: 1500
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 39.1 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 25.8 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Kody zgodności
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Malezja
Kraj montażu:
Malezja
Kraj wytworzenia:
Japonia
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Technologia PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTMFS0D7N04XM Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS0D7N04XM Single N-Channel Power MOSFET is a standard 40V gate level power MOSFET with leading on-resistance for motor driver applications. The lower on-resistance and gate charge can reduce conduction and driving losses. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without an extra snubber circuit in an application.

Na stanie magazynowym: 824

Stany magazynowe:
824
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
7 500
Oczekiwane: 12.02.2027
12 000
4 500
Oczekiwane: 05.03.2027
7 500
Oczekiwane: 13.10.2027
Średni czas produkcji:
50
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
10,12 zł 10,12 zł
6,51 zł 65,10 zł
4,54 zł 454,00 zł
3,68 zł 1 840,00 zł
3,07 zł 3 070,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
3,07 zł 4 605,00 zł