750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

Wyniki: 23
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC 2 004Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
68,33 zł
42,11 zł
41,67 zł
Opakowanie zbiorcze
39,86 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC 624Na stanie magazynowym
77,26 zł
48,62 zł
47,83 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC 1 946Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
46,73 zł
26,36 zł
25,92 zł
25,26 zł
Opakowanie zbiorcze
24,38 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC 641Na stanie magazynowym
107,40 zł
81,75 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC 311Na stanie magazynowym
52,05 zł
30,89 zł
30,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TOLL 750V 120A SIC 900Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
132,57 zł
97,68 zł
97,64 zł
93,24 zł
92,49 zł
Opakowanie zbiorcze
92,49 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 V 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TOLL 750V 46A SIC 1 990Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
63,93 zł
38,63 zł
36,56 zł
Opakowanie zbiorcze
36,56 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 V 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TOLL 750V 37A SIC 1 942Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
55,84 zł
32,43 zł
30,67 zł
Opakowanie zbiorcze
30,67 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 V 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TOLL 750V 80A SIC 490Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
96,45 zł
65,38 zł
65,12 zł
61,91 zł
Opakowanie zbiorcze
61,91 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 V 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 439Na stanie magazynowym
54,16 zł
32,87 zł
29,30 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 410Na stanie magazynowym
47,70 zł
28,60 zł
24,82 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive 1 000Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
47,34 zł
32,91 zł
26,18 zł
Opakowanie zbiorcze
24,60 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 450Na stanie magazynowym
40,57 zł
22,04 zł
20,37 zł
20,20 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TOLL 750V 26A SIC 970Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
46,38 zł
26,09 zł
25,48 zł
24,07 zł
Opakowanie zbiorcze
24,07 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 V 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 440Na stanie magazynowym
33,75 zł
19,80 zł
17,20 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 750V, 45m, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET 1 000Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
34,58 zł
23,63 zł
17,42 zł
17,34 zł
Opakowanie zbiorcze
16,28 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC 1 439Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
72,82 zł
55,48 zł
46,24 zł
41,23 zł
Opakowanie zbiorcze
38,46 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TOLL 750V 61A SIC 92Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
77,22 zł
49,28 zł
49,06 zł
46,64 zł
Opakowanie zbiorcze
46,64 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 V 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 750V 98A N-CH SIC 242Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 26.10.2026
Odcinek taśmy
120,16 zł
86,33 zł
86,28 zł
Opakowanie zbiorcze
81,75 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC 133Na stanie magazynowym
78,76 zł
47,83 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC 428Na stanie magazynowym
55,70 zł
32,56 zł
29,26 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC 23Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 29.09.2026
Odcinek taśmy
46,60 zł
26,80 zł
26,00 zł
24,51 zł
Opakowanie zbiorcze
23,19 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
450Oczekiwane: 20.10.2026
145,29 zł
98,08 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement