TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 offers an extensive 1200V portfolio for all industrial applications requiring short circuit capability/ruggedness. The IGBT7 S7 is an efficient short-circuit rugged discrete IGBT providing at least 10% lower saturation voltage than others.

Wyniki: 19
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
1 112Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
601Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Karta charakterystyki
1 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Karta charakterystyki
1 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 71 A 125 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Karta charakterystyki
715Na stanie magazynowym
285Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.92 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Karta charakterystyki
1 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.93 V 20 V 71 A 250 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Karta charakterystyki
1 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.94 V 20 V 97 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Karta charakterystyki
1 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1.2 kV 1.94 V 20 V 107 A 429 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
1 573Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
305Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
176Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 29.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
1 708Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
84Na stanie magazynowym
720Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
479Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
45Na stanie magazynowym
1 680Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
120Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Karta charakterystyki
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 85 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Karta charakterystyki
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 20 V 97 A 429 W - 40 C + 175 C Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
475Oczekiwane: 27.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube