NCV57001FDWR2G

onsemi
863-NCV57001FDWR2G
NCV57001FDWR2G

Produc.:

Opis:
Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi NCV57001FDWR2G

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Galwanicznie izolowane sterowniki bramek
RoHS:  
NCV57001FDWR2G
SMD/SMT
- 40 C
+ 125 C
10 ns
15 ns
Reel
Cut Tape
Marka: onsemi
Konfiguracja: Inverting, Non-Inverting
Liczba sterowników: 1 Driver
Liczba wyjść: 1 Output
Prąd wyjścia: 4 A
Produkt: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Rodzaj produktu: Galvanically Isolated Gate Drivers
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Napięcie zasilania – max.: 5 V
Napięcie zasilania – min.: 3.3 V
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Kody zgodności
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Filipiny
Kraj montażu:
Filipiny
Kraj wytworzenia:
Stany Zjednoczone
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV57001F IGBT Gate Driver

onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation designed for high system efficiency and reliability. This gate driver features complementary inputs, open-drain FAULT, and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. This gate driver provides >5kVrms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200Viorm (working voltage) capabilities. Typical applications include automotive power supplies, hybrid/electric vehicle (HEV/EV) powertrains, BSG inverters, and positive temperature coefficient (PTC) heaters.

Na stanie magazynowym: 1 143

Stany magazynowe:
1 143 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
32 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
17,18 zł 17,18 zł
12,26 zł 122,60 zł
12,01 zł 300,25 zł
9,70 zł 970,00 zł
9,62 zł 2 405,00 zł
9,03 zł 4 515,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
8,48 zł 8 480,00 zł

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.