Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa

onsemi SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L 747Na stanie magazynowym
136,49 zł
106,30 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
6 109Dostępna ilość z otwartych zamówień
Odcinek taśmy
152,94 zł
124,34 zł
117,00 zł
109,69 zł
Opakowanie zbiorcze
109,69 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 71 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 222 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement EliteSiC