NVTFS6H860NL Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVTFS6H860NL Single N-Channel Power MOSFET comes in compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET features low drain-to-source resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The NVTFS6H860NL MOSFET is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. This onsemi MOSFET comes in a 3.3mm x 3.3mm package. Typical applications include reverse battery protection, power switches (high-side drivers, low-side drivers, and H-bridges), and switching power supplies.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Opakowanie
onsemi MOSFETs T8 80V LL U8FL 14 590Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
6,95 zł
3,32 zł
2,97 zł
2,34 zł
1,93 zł
Opakowanie zbiorcze
1,93 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi MOSFETs T8 80V LL U8FL 2 400Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
6,95 zł
3,32 zł
2,97 zł
2,34 zł
2,05 zł
Opakowanie zbiorcze
1,93 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel