Wyniki: 49
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 1 856Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 77 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 15V-30V 6 876Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS ~ StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 1 027Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC 4 180Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 41 nC - 55 C + 150 C 3.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC 3 335Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 31 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 15V-30V 4 237Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement OptiMOS ~ StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 4 961Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 20.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 143 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 4 955Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 128 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 27 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 4 179Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 315 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 161 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 1 774Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 139 A 2.85 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V 3 441Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 1 648Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 351 A 1.23 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V 1 101Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 302 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS 2 171Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 6.4 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS 1 604Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 17.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3.9 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg 5 694Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 260 A 1.95 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 86 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HEXFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 1 190Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 129 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 213Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 293 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 415Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 03.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 117 A 5.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 296 952Na stanie magazynowym
270 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 4 246Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 282 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V 1 090Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 191 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 1 368Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 1 417Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC 19 116Na stanie magazynowym
12 000Oczekiwane: 04.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 63 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel