RD3S100AAFRATL

ROHM Semiconductor
755-RD3S100AAFRATL
RD3S100AAFRATL

Produc.:

Opis:
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RD3S100AAFRATL

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
ROHM Semiconductor
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
190 V
10 A
182 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marka: ROHM Semiconductor
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 75 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 6 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 20 ns
Seria: RD3
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 140 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 15 ns
Nazwy umowne nr części: RD3S100AAFRA
Jednostka masy: 330 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0 

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Karta charakterystyki

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Tajlandia
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs are high-performance switching and rectifier devices designed for use in a wide range of power and signal applications. The AEC-Q101-qualified ROHM RD3x components feature low forward voltage, fast recovery time, and high surge current capability, making the MOSFETs ideal for efficient power conversion and protection in compact electronic systems. With options tailored for automotive, industrial, and consumer electronics, the RD3 family supports applications such as DC-DC converters, motor drivers, LED lighting, and battery-powered devices. A compact surface-mount (TO-252-3) package and low leakage current contribute to space-saving and energy-efficient designs, while high reliability ensures stable performance under demanding conditions.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Urządzenia motoryzacyjne

Urządzenia motoryzacyjne ROHM przyczyniają się do ewolucji sektora motoryzacyjnego i kolejnej generacji pojazdów dzięki stabilnemu i długotrwałemu dostarczaniu produktów. Rozległy asortyment urządzeń ROHM wspiera przemianę w kierunku większej komputeryzacji i łączności. ROHM koncentruje się na bezpieczeństwie, komforcie i ekologii, a jednocześnie zapewnia rozwiązania optymalnie dostosowane do potrzeb klientów.

RD3S100AAFRA N-Ch 190V 10A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RD3S100AAFRA N-Ch 190V 10A Power MOSFET features a low on-resistance and fast switching speed. The RD3S100AAFRA MOSFET is can easily be set up for parallel use. The ROHM RD3S100AAFRA Power MOSFET is designed for switching power supply applications.

N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs feature no tail current during switching, resulting in faster operation and reduced switching loss. Their low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. These ROHM SiC Power MOSFETs exhibit minimal ON-resistance increases and provides greater package miniaturization. This provides more energy savings than standard Si devices, in which the ON-resistance can more than double with increased temperature.

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100VDSS to 100VDSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and RDS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

Na stanie magazynowym: 2 284

Stany magazynowe:
2 284 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
14,07 zł 14,07 zł
9,20 zł 92,00 zł
6,47 zł 647,00 zł
5,71 zł 2 855,00 zł
5,29 zł 5 290,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
5,00 zł 12 500,00 zł

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.