STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Rodzaj
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba sterowników
Liczba wyjść
Prąd wyjścia
Napięcie zasilania – min.
Napięcie zasilania – max.
Konfiguracja
Czas narastania
Czas zanikania
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
STMicroelectronics Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Karta charakterystyki
781Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Gate Driver Half-Bridge SMD/SMT QFN-18 2 Driver 3 Output 1.8 A 10.3 V 18 V Inverting, Non-Inverting 22 ns 13 ns - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape
STMicroelectronics STDRIVEG612Q
STMicroelectronics Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 4 900
Wielokr.: 4 900
Tray