Układy MOSFET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 440V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 440V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to bridge the gap between 200V Si trench MOSFETs and 600V Si Super junction (SJ) MOSFETs. These MOSFETs deliver outstanding power density and system efficiency in 2 and 3-level using hard and soft-switching topologies. The CoolSiC™ MOSFETs feature 440V blocking voltage, 4.5V gate threshold voltage, and low R_DS(ON) temperature dependency. These MOSFETs combine high robustness with ultra-low switching losses and on-state resistance. Typical applications include power Artificial Intelligence (AI), high-power SMPS for server, datacenter, and telecom rectifiers.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 3

Zastosowane filtry:

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Technologia	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa	Opakowanie
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMT44R011M2HXTMA2 Infineon Technologies 1: 72,20 zł 1 663Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części IMT44R011M2HXTMA2 Nr części Mouser 726-IMT44R011M2HXTMA Nowe produkty	Infineon Technologies	MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 440v mosfets	Karta charakterystyki	1 663Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 72,20 zł 45,19 zł 45,14 zł 42,77 zł Opakowanie zbiorcze 42,77 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000	SiC	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	440 V	144 A	14.4 mOhms	- 7 V, 23 V	4.5 V	85 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement	CoolSiC	Reel, Cut Tape
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMT44R015M2HXTMA2 Infineon Technologies 1: 56,94 zł 1 977Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części IMT44R015M2HXTMA2 Nr części Mouser 726-IMT44R015M2HXTMA Nowe produkty	Infineon Technologies	MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 440v mosfets	Karta charakterystyki	1 977Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 56,94 zł 33,31 zł 31,50 zł Opakowanie zbiorcze 31,50 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000	SiC	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	440 V	111 A	19.1 mOhms	- 7 V, 23 V	4.5 V	62 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement	CoolSiC	Reel, Cut Tape
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMT44R025M2HXTMA2 Infineon Technologies 1: 42,94 zł 1 961Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części IMT44R025M2HXTMA2 Nr części Mouser 726-IMT44R025M2HXTMA Nowe produkty	Infineon Technologies	MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolsic 440v mosfets	Karta charakterystyki	1 961Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 42,94 zł 28,16 zł 25,17 zł 22,84 zł 22,40 zł Opakowanie zbiorcze 21,21 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000	SiC	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	440 V	68 A	32.1 mOhms	- 7 V, 23 V	4.5 V	36 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W		CoolSiC	Reel, Cut Tape

CoolSiC™ 440V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

CoolSiC™ 440V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Zastosowane filtry: