Tranzystory GaN FET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

700V CoolGaN™ G4 Power Transistors

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4 Power Transistors are enhancement-mode GaN-on-Si power transistors with properties that allow for high-current, high-voltage breakdown, and high-switching frequency. The GaN systems innovate with industry-leading advancements like patented Island Technology^® cell layout which realizes high-current die and high yield. These 700V CoolGaN power transistors enable ultra-power density designs and high system efficiency in power switching. The GS-065 power transistors are housed in the bottom-side cooled PDFN package. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance, making them ideal for demanding high-power applications. Some of the applications include data center and computing solutions, power adapters, LED lighting drivers, Switched Mode Power Supplies (SMPS), wireless power transfer, and motor drives.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 7

Zastosowane filtry:

Opakowanie/obudowa

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Tryb kanału	Maksymalna częstotliwość robocza	Technologia
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS GS-065-030-6-LL-MR Infineon Technologies 1: 38,81 zł 224Na stanie magazynowym Wycofane z eksploatacji	Produc. Nr części GS-065-030-6-LL-MR Nr części Mouser 499-GS-065-030-LL-MR Wycofane z eksploatacji	Infineon Technologies	GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors	Karta charakterystyki	224Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 38,81 zł 21,56 zł 18,08 zł Opakowanie zbiorcze 18,08 zł 17,20 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 250	SMD/SMT	TOLL-11	N-Channel	1 Channel	700 V	40 A	58 mOhms	- 10 V, + 7 V	2.6 V	6.7 nC	- 55 C	+ 150 C	Enhancement	1 MHz	GaN-on-Si
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS GS-065-011-6-L-MR Infineon Technologies 1: 21,96 zł 155Na stanie magazynowym Wycofane z eksploatacji	Produc. Nr części GS-065-011-6-L-MR Nr części Mouser 499-GS065-011-6-L-MR Wycofane z eksploatacji	Infineon Technologies	GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors	Karta charakterystyki	155Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 21,96 zł 18,17 zł 9,72 zł Opakowanie zbiorcze 9,72 zł 8,36 zł 8,10 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 250	SMD/SMT	PDFN-6	N-Channel	1 Channel	700 V	12.2 A	180 mOhms	- 10 V, + 7 V	2.6 V	2.2 nC	- 55 C	+ 150 C	Enhancement	1 MHz	GaN-on-Si
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS GS-065-014-6-L-MR Infineon Technologies 1: 23,58 zł 88Na stanie magazynowym Wycofane z eksploatacji	Produc. Nr części GS-065-014-6-L-MR Nr części Mouser 499-GS065-014-6-L-MR Wycofane z eksploatacji	Infineon Technologies	GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors	Karta charakterystyki	88Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 23,58 zł 12,45 zł 10,47 zł Opakowanie zbiorcze 10,47 zł 10,25 zł Przeglądaj 9,81 zł 9,59 zł 9,33 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 250	SMD/SMT	PDFN-6	N-Channel	1 Channel	700 V	15.2 A	138 mOhms	- 10 V, + 7 V	2.6 V	2.7 nC	- 55 C	+ 150 C	Enhancement	1 MHz	GaN-on-Si
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS GS-065-014-6-LR-MR Infineon Technologies 1: 23,10 zł 55Na stanie magazynowym Wycofane z eksploatacji	Produc. Nr części GS-065-014-6-LR-MR Nr części Mouser 499-GS065014-6-LR-MR Wycofane z eksploatacji	Infineon Technologies	GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors	Karta charakterystyki	55Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 23,10 zł 12,63 zł 10,69 zł Opakowanie zbiorcze 10,69 zł 10,47 zł Przeglądaj 10,16 zł 9,99 zł 9,86 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 250	SMD/SMT	PDFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	15.2 A	138 mOhms	- 10 V, + 7 V	2.6 V	2.7 nC	- 55 C	+ 150 C	Enhancement	1 MHz	GaN-on-Si
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS GS-065-018-6-LR-MR Infineon Technologies 1: 28,69 zł 3Na stanie magazynowym Wycofane z eksploatacji	Produc. Nr części GS-065-018-6-LR-MR Nr części Mouser 499-GS065018-6-LR-MR Wycofane z eksploatacji	Infineon Technologies	GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors	Karta charakterystyki	3Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 28,69 zł 15,40 zł 12,76 zł Opakowanie zbiorcze 12,76 zł 11,48 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 250	SMD/SMT	PDFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	23 A	90 mOhms	- 10 V, + 7 V		4.2 nC	- 55 C	+ 150 C	Enhancement	1 MHz	GaN-on-Si
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS GS-065-004-6-L-MR Infineon Technologies 1: 13,77 zł Czas realizacji 18 tygodni Wycofane z eksploatacji	Produc. Nr części GS-065-004-6-L-MR Nr części Mouser 499-GS065-004-6-L-MR Wycofane z eksploatacji	Infineon Technologies	GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors	Karta charakterystyki	Czas realizacji 18 tygodni	Odcinek taśmy 13,77 zł 6,95 zł 5,54 zł Opakowanie zbiorcze 5,54 zł 4,84 zł 4,75 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 250	SMD/SMT	PDFN-6	N-Channel	1 Channel	700 V	4.6 A	455 mOhms	- 10 V, + 7 V	2.6 V	800 pC	- 55 C	+ 150 C	Enhancement	1 MHz	GaN-on-Si
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS GS-065-011-6-LR-MR Infineon Technologies 1: 19,05 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni Wycofane z eksploatacji	Produc. Nr części GS-065-011-6-LR-MR Nr części Mouser 499-GS065011-6-LR-MR Wycofane z eksploatacji	Infineon Technologies	GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni	Odcinek taśmy 19,05 zł 17,03 zł 8,62 zł Opakowanie zbiorcze 8,62 zł 8,58 zł 8,36 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 250	SMD/SMT	PDFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	12.2 A	180 mOhms	- 10 V, + 7 V	2.6 V	2.2 nC	- 55 C	+ 150 C	Enhancement	1 MHz	GaN-on-Si

700V CoolGaN™ G4 Power Transistors

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie