Tranzystory GaN FET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 12

Zastosowane filtry:

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Technologia
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 14,74 zł 4 511Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części IGLR65R140D2XUMA1 Nr części Mouser 726-IGLR65R140D2XUMA Nowe produkty	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	4 511Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 14,74 zł 9,68 zł 6,78 zł 5,54 zł 5,32 zł Opakowanie zbiorcze 4,71 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 5 000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	13 A	170 mOhms	- 10 V	1.6 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 10,87 zł 4 815Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części IGLR65R200D2XUMA1 Nr części Mouser 726-IGLR65R200D2XUMA Nowe produkty	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	4 815Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 10,87 zł 7,04 zł 4,84 zł 3,90 zł Przeglądaj Opakowanie zbiorcze 3,09 zł 3,64 zł 3,57 zł 3,09 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 5 000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	9.2 A	240 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.8 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 9,46 zł 4 699Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części IGLR65R270D2XUMA1 Nr części Mouser 726-IGLR65R270D2XUMA Nowe produkty	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	4 699Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 9,46 zł 6,07 zł 4,16 zł 3,31 zł Opakowanie zbiorcze 2,58 zł Przeglądaj 3,01 zł 2,97 zł 2,56 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 5 000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	7.2 A	330 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.4 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 41,67 zł 1 661Na stanie magazynowym 1 800Oczekiwane: 28.01.2027 Nowe produkty	Produc. Nr części IGLT65R035D2ATMA1 Nr części Mouser 726-IGLT65R035D2ATMA Nowe produkty	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	1 661Na stanie magazynowym 1 800Oczekiwane: 28.01.2027	Odcinek taśmy 41,67 zł 23,85 zł 22,62 zł 21,34 zł 18,48 zł Opakowanie zbiorcze 18,30 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 32,43 zł 977Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części IGLT65R045D2ATMA1 Nr części Mouser 726-IGLT65R045D2ATMA Nowe produkty	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	977Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 32,43 zł 17,64 zł 16,19 zł 15,93 zł 13,90 zł Opakowanie zbiorcze 13,51 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	38 A	54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W		GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 17,86 zł 1 262Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części IGLT65R110D2ATMA1 Nr części Mouser 726-IGLT65R110D2ATMA Nowe produkty	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	1 262Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 17,86 zł 11,79 zł 8,36 zł 7,17 zł Opakowanie zbiorcze 6,07 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	15 A	140 mOhms	- 10 V	1.6 V	3.4 nC	- 40 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 50,42 zł 602Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części IGOT65R025D2AUMA1 Nr części Mouser 726-IGOT65R025D2AUMA Nowe produkty	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	602Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 50,42 zł 33,84 zł 31,33 zł 27,15 zł Opakowanie zbiorcze 23,67 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	61 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	181 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 41,76 zł 467Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części IGOT65R035D2AUMA1 Nr części Mouser 726-IGOT65R035D2AUMA Nowe produkty	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	467Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 41,76 zł 23,23 zł 22,18 zł 18,83 zł Opakowanie zbiorcze 18,83 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 33,40 zł 2 068Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części IGOT65R045D2AUMA1 Nr części Mouser 726-IGOT65R045D2AUMA Nowe produkty	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	2 068Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 33,40 zł 18,22 zł 16,32 zł Opakowanie zbiorcze 14,43 zł 14,08 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 27,90 zł 583Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części IGOT65R055D2AUMA1 Nr części Mouser 726-IGOT65R055D2AUMA Nowe produkty	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	583Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 27,90 zł 14,96 zł 13,68 zł 11,04 zł Opakowanie zbiorcze 11,04 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 48,14 zł 9 060Dostępna ilość z otwartych zamówień Nowe produkty	Produc. Nr części IGLT65R025D2AUMA1 Nr części Mouser 726-IGLT65R025D2AUMA Nowe produkty	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	9 060Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: IGLT65R025D2AUMA1 Stany magazynowe: 0 Dostępna ilość z otwartych zamówień: 1 860 Oczekiwane: 08.10.2026 3 600 Oczekiwane: 22.10.2026 3 600 Oczekiwane: 20.05.2027 Średni czas produkcji: 18 tygodni	Odcinek taśmy 48,14 zł 27,28 zł 26,88 zł 26,62 zł 22,84 zł Opakowanie zbiorcze 22,84 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	67 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	219 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 27,19 zł 3 596Oczekiwane: 19.11.2026 Nowe produkty	Produc. Nr części IGLT65R055D2ATMA1 Nr części Mouser 726-IGLT65R055D2ATMA Nowe produkty	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	3 596Oczekiwane: 19.11.2026	Odcinek taśmy 27,19 zł 16,10 zł 13,90 zł 12,76 zł 10,96 zł Opakowanie zbiorcze 10,96 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie