CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Technologia
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
4 511Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
4 815Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
4 699Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
1 663Na stanie magazynowym
1 800Oczekiwane: 28.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
977Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
1 262Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
602Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
467Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
2 068Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
583Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
9 060Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Karta charakterystyki
3 596Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN