Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Tranzystory MOSFET trzeciej generacji na bazie węglika krzemu

Tranzystory MOSFET trzeciej generacji na bazie węglika krzemu firmy Toshiba są przeznaczone do zastosowań przemysłowych o dużej mocy, takich jak zasilacze AC-DC o napięciu wejściowym 400 V. Inne zastosowania obejmują falowniki fotowoltaiczne (PV) oraz dwukierunkowe przetwornice DC-DC do zasilaczy awaryjnych (UPS). Te tranzystory MOSFET przyczyniają się do zmniejszenia zużycia energii i poprawy gęstości mocy. Wynika to z technologii SiC, która pozwala na dostarczanie przez urządzenia wyższych napięć, szybszego przełączania i niższej rezystancji przy włączeniu. Konstrukcja mikroukładu trzeciej generacji firmy Toshiba oferuje większą niezawodność a także pojemność wejściową (C_ISS) wynoszącą 4850 pF (typowo), niski ładunek bramka-wejście (Q_g) wynoszący 128 nC (typowo) i rezystancję dren-źródło (R_DS(ON)) wynoszącą zaledwie 15 mΩ lub 30 mΩ (typowo).

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 24

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm TW015Z65C,S1F Toshiba 1: 65,16 zł 132Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW015Z65C,S1F Nr części Mouser 757-TW015Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	132Na stanie magazynowym	65,16 zł 54,38 zł 37,88 zł 37,49 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	100 A	15 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	128 nC		+ 175 C	342 W	Enhancement
SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW031V65C,LQ Toshiba 1: 44,00 zł 2 500Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części TW031V65C,LQ Nr części Mouser 757-TW031V65CLQ Nowe produkty	Toshiba	SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	2 500Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 44,00 zł 32,60 zł Opakowanie zbiorcze 32,60 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	53 A	45 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	65 nC		+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW054V65C,LQ Toshiba 1: 34,41 zł 2 480Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części TW054V65C,LQ Nr części Mouser 757-TW054V65CLQ Nowe produkty	Toshiba	SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	2 480Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 34,41 zł 23,63 zł Opakowanie zbiorcze 23,63 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	36 A	81 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	41 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement
SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW092V65C,LQ Toshiba 1: 28,56 zł 2 493Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części TW092V65C,LQ Nr części Mouser 757-TW092V65CLQ Nowe produkty	Toshiba	SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	2 493Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 28,56 zł 19,32 zł 18,44 zł Opakowanie zbiorcze 18,44 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	27 A	136 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	28 nC		+ 175 C	111 W	Enhancement
SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW123V65C,LQ Toshiba 1: 22,66 zł 2 500Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części TW123V65C,LQ Nr części Mouser 757-TW123V65CLQ Nowe produkty	Toshiba	SiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	2 500Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 22,66 zł 13,55 zł Opakowanie zbiorcze 13,55 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	18 A	183 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	21 nC		+ 175 C	76 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm TW030Z120C,S1F Toshiba 1: 45,76 zł 27Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW030Z120C,S1F Nr części Mouser 757-TW030Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	27Na stanie magazynowym	45,76 zł 34,32 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	60 A	30 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	82 nC		+ 175 C	249 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm TW060Z120C,S1F Toshiba 1: 39,82 zł 31Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW060Z120C,S1F Nr części Mouser 757-TW060Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	31Na stanie magazynowym	39,82 zł 30,10 zł 28,60 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	60 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	46 nC		+ 175 C	170 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm TW140Z120C,S1F Toshiba 1: 34,85 zł 61Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW140Z120C,S1F Nr części Mouser 757-TW140Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	61Na stanie magazynowym	34,85 zł 23,85 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	20 A	140 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	24 nC		+ 175 C	107 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm TW045Z120C,S1F Toshiba 1: 42,81 zł 14Na stanie magazynowym 30Oczekiwane: 04.12.2026	Produc. Nr części TW045Z120C,S1F Nr części Mouser 757-TW045Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	14Na stanie magazynowym 30Oczekiwane: 04.12.2026	42,81 zł 31,50 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	45 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	57 nC		+ 175 C	182 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm TW015N120C,S1F Toshiba 1: 122,50 zł 28Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW015N120C,S1F Nr części Mouser 757-TW015N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	28Na stanie magazynowym	122,50 zł 88,84 zł 68,77 zł 67,54 zł Oferta Oferta	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	100 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	158 nC	- 55 C	+ 175 C	431 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm TW015N65C,S1F Toshiba 1: 65,16 zł 41Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW015N65C,S1F Nr części Mouser 757-TW015N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	41Na stanie magazynowym	65,16 zł 54,38 zł 37,49 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	100 A	21 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	128 nC	- 55 C	+ 175 C	342 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm TW015Z120C,S1F Toshiba 1: 75,20 zł 12Na stanie magazynowym 60Oczekiwane: 19.10.2026	Produc. Nr części TW015Z120C,S1F Nr części Mouser 757-TW015Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	12Na stanie magazynowym 60Oczekiwane: 19.10.2026	75,20 zł 64,46 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	15 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	158 nC		+ 175 C	431 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm TW027N65C,S1F Toshiba 1: 39,07 zł 2Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW027N65C,S1F Nr części Mouser 757-TW027N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	2Na stanie magazynowym	39,07 zł 30,62 zł 26,80 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	58 A	37 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm TW030N120C,S1F Toshiba 1: 47,83 zł 67Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW030N120C,S1F Nr części Mouser 757-TW030N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	67Na stanie magazynowym	47,83 zł 27,37 zł 25,34 zł 23,67 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV		40 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	249 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm TW045N120C,S1F Toshiba 1: 51,39 zł 92Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW045N120C,S1F Nr części Mouser 757-TW045N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	92Na stanie magazynowym	51,39 zł 31,50 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm TW048Z65C,S1F Toshiba 1: 30,40 zł 32Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW048Z65C,S1F Nr części Mouser 757-TW048Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	32Na stanie magazynowym	30,40 zł 20,02 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	40 A	48 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	41 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm TW060N120C,S1F Toshiba 1: 39,82 zł 189Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW060N120C,S1F Nr części Mouser 757-TW060N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	189Na stanie magazynowym	39,82 zł 31,24 zł 28,60 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm TW083N65C,S1F Toshiba 1: 29,22 zł 15Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW083N65C,S1F Nr części Mouser 757-TW083N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	15Na stanie magazynowym	29,22 zł 17,12 zł 13,82 zł 12,67 zł 12,01 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	145 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	76 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm TW083Z65C,S1F Toshiba 1: 27,63 zł 25Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW083Z65C,S1F Nr części Mouser 757-TW083Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	25Na stanie magazynowym	27,63 zł 17,64 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	30 A	83 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	28 nC		+ 175 C	111 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm TW107N65C,S1F Toshiba 1: 28,38 zł 19Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW107N65C,S1F Nr części Mouser 757-TW107N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	19Na stanie magazynowym	28,38 zł 14,78 zł 14,12 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	113 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	111 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm TW107Z65C,S1F Toshiba 1: 23,36 zł 40Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TW107Z65C,S1F Nr części Mouser 757-TW107Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	40Na stanie magazynowym	23,36 zł 15,88 zł 14,12 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	20 A	107 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	21 nC		+ 175 C	76 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm TW140N120C,S1F Toshiba 1: 34,63 zł 210Oczekiwane: 15.01.2027	Produc. Nr części TW140N120C,S1F Nr części Mouser 757-TW140N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	210Oczekiwane: 15.01.2027	34,63 zł 18,52 zł 17,07 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	20 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm TW027Z65C,S1F Toshiba 1: 39,03 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni	Produc. Nr części TW027Z65C,S1F Nr części Mouser 757-TW027Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni	39,03 zł 27,59 zł 22,97 zł 20,46 zł 19,14 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	58 A	27 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	65 nC		+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm TW048N65C,S1F Toshiba 1: 30,40 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni	Produc. Nr części TW048N65C,S1F Nr części Mouser 757-TW048N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm Dowiedz się więcej o Toshiba 3 gen sic mosfets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni	30,40 zł 21,43 zł 17,34 zł 15,40 zł 13,64 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	40 A	65 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement

Tranzystory MOSFET trzeciej generacji na bazie węglika krzemu

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie