Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FGH50T65UPD

Name: onsemi FGH50T65UPD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGH50T65UPD
Price: 30.58 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FGH50T65UPD

Nr prod.:

FGH50T65UPD

Produc.:

onsemi

Opis:

IGBTs 650 V 100 A 240 W

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

FGH50T65UPD Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi FGH50T65UPD

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.65 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	100 A
Pd – strata mocy:	340 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	FGH50T65UPD
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Prąd upływowy bramka–emiter:	400 nA
Rodzaj produktu:	IGBTs
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	6,390 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FGH50T65UPD Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Czechia

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

onsemi FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. onsemi FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.

FGHx0T65 650V Field Stop IGBTs

onsemi FGHx0T65 650V Field Stop IGBTs use innovative field stop trench IGBT technology. These IGBTs offer optimum performance. The FGHx0T65 IGBTs feature positive temperature coefficient for easy parallel operating, high current capability, high input impedance, and tightened parameter distribution. Typical applications include solar inverters, UPS, welders, and digital power generators that require low conduction and switching losses.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

AFGB30T65RQDN IGBT

Offers a high figure of merit with low conduction and switching losses.

Dowiedz się więcej

AFGH4L60T120RWx-STD N-Channel Field Stop VII IGBTs

The device offers good performance, with low on-state voltage and low switching losses.

Dowiedz się więcej

AFGBG70T65SQDC N-Channel Field Stop IV IGBT

The device offers optimal performance with both low conduction and switching losses.

Dowiedz się więcej

AFGHxL40T Automotive Grade IGBTs

AEC-Q101 qualified and uses a robust Field Stop VII Trench construction.

Dowiedz się więcej

FGB5065G2-F085 EcoSPARK® 2 HV-HE IGBT

650V N-channel ignition device for PTC heater and high current system applications.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 68

Stany magazynowe:: 68 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	30,58 zł	30,58 zł
	17,69 zł	176,90 zł
	15,00 zł	1 800,00 zł
	14,70 zł	7 497,00 zł
	14,08 zł	14 361,60 zł

FGH50T65UPD

Udostępnij to

Produc.: onsemi

Opis: IGBTs 650 V 100 A 240 W

Specyfikacja

Dokumenty (15)

Karta charakterystyki

PCN

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

FGHx0T65 650V Field Stop IGBTs

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Na stanie magazynowym: 68

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

IGBTs 650 V 100 A 240 W

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI