Układy MOSFET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SiAxDJ P-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix SiA445EDJ and SiA441DJ are P-Channel TrenchFET® Power MOSFETs featuring Thermally Enhanced PowerPAK®. Designed using the SC-70 package with a footprint area of 2.05mm by 2.05mm, SiA445EDJ is 50% smaller than TSOP-6 devices. The slim 0.6mm profile makes SiA445EDJ 40% smaller than TSOP-6 devices. SiA445EDJ and SiA441DJ offer low on-resistance compared to N-channel down to 11 mΩ and P-channel down to 16mΩ. Also, Vishay Siliconix SiA445EDJ provides 75% higher maximum power dissipation than devices with on-resistance ratings down to 1.2V. A Zener diode in the SiA445EDJ device provides built-in ESD protection with 2000V typical EDS performance. Available in the SC-70 package and 100% R_g tested, SiA445EDJ and SiA441DJ are well-suited for load, battery, and charger switching in handheld devices, including smartphones, tablet PC, and mobile computing.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 2

Zastosowane filtry:

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Technologia	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa	Opakowanie
	MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 SIA441DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: 4,88 zł 672Na stanie magazynowym 87 000Oczekiwane: 17.03.2028	Produc. Nr części SIA441DJ-T1-GE3 Nr części Mouser 78-SIA441DJ-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors siaxdj p channel trenchfet power mosfets	Karta charakterystyki	672Na stanie magazynowym 87 000Oczekiwane: 17.03.2028	Odcinek taśmy 4,88 zł 3,48 zł 2,16 zł 1,50 zł 1,29 zł Opakowanie zbiorcze 1,13 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000			Si	SMD/SMT	SC-70-6	P-Channel	1 Channel	40 V	12 A	47 mOhms	10 V	1.2 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	19 W	Enhancement	TrenchFET, PowerPAK	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: 4,28 zł 77 405Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części SIA445EDJ-T1-GE3 Nr części Mouser 78-SIA445EDJ-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors siaxdj p channel trenchfet power mosfets	Karta charakterystyki	77 405Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: SIA445EDJ-T1-GE3 Stany magazynowe: 0 Dostępna ilość z otwartych zamówień: 35 405 Oczekiwane: 11.02.2027 42 000 Oczekiwane: 21.05.2027 Średni czas produkcji: 38 tygodni	Odcinek taśmy 4,28 zł 2,18 zł 1,66 zł 1,28 zł Opakowanie zbiorcze 1,00 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000			Si	SMD/SMT	SC-70-6	P-Channel	1 Channel	20 V	12 A	16.5 mOhms	12 V	1.2 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	19 W	Enhancement	TrenchFET, PowerPAK	Reel, Cut Tape, MouseReel

SiAxDJ P-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie