Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału
Nexperia GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1 908Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1 921Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2 156Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 83Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 514Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
250Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
250Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
249Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
250Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
250Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
250Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1