MSCSM120x MOSFET Power Modules

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET Power Modules are high-efficiency converters that feature Si3N4 substrate with thick copper for improved thermal performance. These modules offer a low profile, direct mounting to the heatsink (isolated package), an internal thermistor for temperature monitoring, and an extended temperature range. The MSCSM120x modules operate at 1.2kV reverse voltage (VR), -10V to 25V gate-source voltage range (VGS), 310W/560W power dissipation (PD), and 79A/150A continuous drain current (ID). These modules are used in applications such as high-reliability power systems, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, motor control, and AC switches.

Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Rodzaj
Technologia
Vf – Napięcie przewodzenia
Vr – napięcie wsteczne
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Styl mocowania
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
Karta charakterystyki
3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
Karta charakterystyki
11Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
Karta charakterystyki
83Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
Karta charakterystyki
7Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
Karta charakterystyki
3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C