Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

NVXK2TR80WDT

Name: onsemi NVXK2TR80WDT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR80WDT
Price: 177.66 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVXK2TR80WDT

Nr prod.:

NVXK2TR80WDT

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFET Modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Karta charakterystyki:

NVXK2TR80WDT Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVXK2TR80WDT

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	APM-32
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	4 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	20 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	116 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 15 V, + 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.3 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	82 W
Seria:	NVXK2TR80WDT
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Dual Half-Bridge
Czas zanikania:	9 ns
Wysokość:	5.8 mm
Długość:	44.2 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	12 ns
Wielkość opakowania producenta:	60
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Rodzaj:	Half-Bridge
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns
Szerokość:	29 mm

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVXK2TR80WDT Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 20A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR80WDT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET module is ideally used in HV DC-DC and onboard chargers in xEV applications.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module

Features 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET full-bridge and a thermistor with Al₂O₃ DBC in an F1 package.

Dowiedz się więcej

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

Contains 8mΩ, 10mΩ, 15mΩ, and 30mΩ/1200V M3S MOSFETs based on half-bridge topology.

Dowiedz się więcej

NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules

Part of VE-Trac™ B2 SiC highly integrated power modules for EV/HEV traction inverter applications.

Dowiedz się więcej

NXV08H350XT1 MOSFET Module

Compactly designed, 2-phase, dual half bridge, 80V automotive power MOSFET module.

Dowiedz się więcej

NXV08H300DT1 MOSFET Module

Compactly designed, 2-phase, dual half bridge, 80V automotive power MOSFET module.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 48

Stany magazynowe:: 48 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	177,66 zł	177,66 zł
	139,36 zł	1 393,60 zł
	136,84 zł	16 420,80 zł

NVXK2TR80WDT

Produc.: onsemi

Opis: MOSFET Modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Specyfikacja

Dokumenty (1)

Karta charakterystyki

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Na stanie magazynowym: 48

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFET Modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI