CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

Rodzaje tranzystorów
Zmień widok kategorii
Wyniki: 23
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora


Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
1 212Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
617Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
368Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
948Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Karta charakterystyki
699Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 01.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
721Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
4 390Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
Karta charakterystyki
603Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
333Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
594Na stanie magazynowym
2 160Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
571Na stanie magazynowym
720Oczekiwane: 01.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
260Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 29.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
480Oczekiwane: 08.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
20Na stanie magazynowym
2 640Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
492Na stanie magazynowym
720Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
142Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 29.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
472Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 19.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
Karta charakterystyki
187Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
2 160Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
1 169Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 240

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
2 877Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
1 440Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
960Oczekiwane: 16.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel