CoolSiC™ Automotive 1700V MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1700V MOSFETs enable flyback topologies for auxiliary power supplies and DC-DC converters. These devices have continuous DC drain current (IDDC) for Rth(j-c,max) between 7.4A and 15A at 25°C and between 5.6A and 10.5A at 100°C. The Infineon Technologies SiC Trench MOSFET technology offers 0V/20V gate-source voltage driving, compatible with most flyback controllers for automotive applications.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału
Infineon Technologies SiC MOSFETs Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
740Dostępna ilość z otwartych zamówień
Odcinek taśmy
26,84 zł
14,70 zł
13,42 zł
12,58 zł
Opakowanie zbiorcze
10,08 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 11.2 A 485 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 17.5 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK 364Na stanie magazynowym
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Odcinek taśmy
22,35 zł
11,75 zł
10,69 zł
9,72 zł
Opakowanie zbiorcze
8,27 zł
8,23 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 752 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK 105Na stanie magazynowym
500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Odcinek taśmy
28,78 zł
15,49 zł
14,21 zł
13,60 zł
Opakowanie zbiorcze
11,57 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 15 A 340 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement