Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET 9 645Na stanie magazynowym
28,78 zł
17,42 zł
14,96 zł
13,24 zł
12,58 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 20 V 2 V 210 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET 2 399Na stanie magazynowym
4 500Oczekiwane: 03.05.2027
23,85 zł
13,07 zł
11,92 zł
9,90 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 30 V 2 V 105 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET 1 361Na stanie magazynowym
2 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
32,74 zł
17,73 zł
15,62 zł
15,53 zł
12,10 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube