EPC2302

EPC
65-EPC2302
EPC2302

Produc.:

Opis:
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Cykl życia:
Nowości w Mouser
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 778

Stany magazynowe:
1 778
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
15 000
Oczekiwane: 06.11.2026
21 000
Oczekiwane: 13.01.2027
Średni czas produkcji:
25
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
31,00 zł 31,00 zł
21,08 zł 210,80 zł
15,46 zł 1 546,00 zł
15,20 zł 7 600,00 zł
13,94 zł 13 940,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
13,02 zł 39 060,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
EPC
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
100 V
133 A
1.8 mOhms
- 4 V, 6 V
2.5 V
23 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marka: EPC
Konfiguracja: Single
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Opakowanie: MouseReel
Produkt: Power Transistor
Rodzaj produktu: GaN FETs
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Technologia: GaN
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Jednostka masy: 31,300 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Kody zgodności
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Malezja
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2302 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is engineered for high-frequency DC-DC applications to/from 40V to 60V and 48V BLDC motor drives. This eGaN® FET features 1.8mΩ maximum drain-source on resistance RDS(on) and 100V drain-source breakdown voltage (continuous) VDS in a low inductance 3mm x 5mm QFN package. The package has side-wettable flanks and an exposed top for excellent thermal management. The thermal resistance to the case top is ~0.2°C/W, offering excellent thermal behavior and easy cooling. The EPC2302 enhancement-mode power transistor from EPC enables efficient operation in many topologies while improving efficiency and saving space.